STGD3NC120H 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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廠家型號：
STGD3NC120H
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ST/意法
庫存數(shù)量：
60000
產(chǎn)品封裝：
TO-251
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-5-10 13:30:00

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原廠料號：STGD3NC120H品牌：ST/意法

STGD3NC120H是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-251/TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA的STGD3NC120H晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGD3NC120H
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內(nèi)容頁數(shù)：
13 頁
文件大?。?/span>
899.15 kb
資料說明：
7 A, 1200 V very fast IGBT

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
STGD3NC120H-1
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，3A
開關能量：
236μJ（開），290μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
15ns/118ns
測試條件：
800V，3A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商器件封裝：
IPAK（TO-251）
描述：
IGBT 1200V 16A IPAK

供應商

企業(yè)：
深圳市宏興瑞科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
朱小姐
手機：
18923720076
詢價：
電話：
0755-23946805
地址：
深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05

STGD3NC120H 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGD3NC120H

產(chǎn)品屬性

供應商

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