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STGD7NB60K分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD7NB60K
廠商型號

STGD7NB60K

參數(shù)屬性

STGD7NB60K 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 70W DPAK

功能描述

N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 14A 70W DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

341.97 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 10:36:00

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STGD7NB60K規(guī)格書詳情

STGD7NB60K屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGD7NB60K晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD7NB60KT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,7A

  • 開關能量:

    95μJ(開),140μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    15ns/50ns

  • 測試條件:

    480V,7A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 70W DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
21+
原廠原封
23480
詢價
ST/意法
24+
TO-252
27950
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
ST
15+PBF
TO-252
12500
現(xiàn)貨
詢價
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
詢價
ST
22+
TO252DPAK
6000
十年配單,只做原裝
詢價
ST/意法
21+
TO-252
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
詢價
ST
24+
TO252DPAK
8866
詢價
ST/意法
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
ST/意法
22+
N
30000
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ST
22+
TO252DPAK
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價