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STGW35NB60S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW35NB60S
廠商型號(hào)

STGW35NB60S
參數(shù)屬性

STGW35NB60S 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 70A 200W TO247
功能描述

N-channel 35A - 600V - TO-247 Low drop PowerMESH??IGBT
IGBT 600V 70A 200W TO247
絲印標(biāo)識(shí)

GW35NB60S
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

274.81 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 23:01:00
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STGW35NB60S規(guī)格書詳情

STGW35NB60S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW35NB60S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

Using the latest high voltage technology based on

a patented strip layout, STMicroelectronics has

designed an advanced family of IGBTs, the

PowerMESH? IGBTs, with outstanding

performances.

Features

■ Low on-voltage drop (VCEsat)

■ Low input capacitance

■ High current capability

Applications

■ Light dimmer

■ HID

■ Welding

■ Motor control

■ Static relays

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW35NB60S

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    840μJ（開），7.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    92ns/1.1μs

  • 測(cè)試條件：

    480V，20A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 200W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
24+
NA/
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ST/意法
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TO-247-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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