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STGW60H65DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGW60H65DFB |
| 參數(shù)屬性 | STGW60H65DFB 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 80A 375W TO-247 |
| 功能描述 | Low thermal resistance |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.57984 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
19 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-12 10:12:00 |
STGW60H65DFB規(guī)格書詳情
STGW60H65DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW60H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGW60H65DFB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，60A
- 開關(guān)能量：
1.09mJ（開），626μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
51ns/160ns
- 測試條件：
400V，60A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
- 描述：
IGBT 650V 80A 375W TO-247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-247 |
5000 |
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成 可開增值稅13點 |
詢價 | ||
ST |
21+ |
TO247 |
10000 |
詢價 | |||
ST |
23+ |
TO247 |
3400 |
原廠原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
895 |
只做正品 |
詢價 | ||||
ST |
24+ |
TO247 |
65300 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價 | |||
ST(意法) |
23+ |
TO-247 |
15000 |
專業(yè)幫助客戶找貨 配單,誠信可靠! |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
54000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
STMicroelectronics |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 |
