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STHI10N50

HIGH INJECTION N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS (IGBT)

?HIGHINPUTIMPEDANCE ?LOWON-VOLTAGE ?HIGHCURRENTCAPABILITY ?FASTTURN-OFF:tf

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STHI10N50FI

HIGH INJECTION N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS (IGBT)

?HIGHINPUTIMPEDANCE ?LOWON-VOLTAGE ?HIGHCURRENTCAPABILITY ?FASTTURN-OFF:tf

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

10N50

10Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC10N50isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanc

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

10N50

10A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

10N50A

10A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

10N50B

10A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

10N50C

500VN-ChannelMOSFETImproveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

10N50K-MT

N-CHANNELJFETFORELECTRETCONDENSERMICROPHONE

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

AOTF10N50FD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOTF10N50FD

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

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更多STHI10N50供應商 更新時間2025-4-26 16:00:00

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