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STP4NB30FP中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP4NB30FP
廠商型號

STP4NB30FP

功能描述

N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh??MOSFET

文件大小

331.83 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-24 13:10:00

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STP4NB30FP規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprieraty edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.8 ?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER ENVIRONMENT

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