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STW20N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STW20N65M5
廠商型號(hào)

STW20N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.160 廓 typ., 18 A MDmesh??V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages

文件大小

1.17545 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

21 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-25 8:30:00

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STW20N65M5規(guī)格書(shū)詳情

Features

■ Worldwide best RDS(on) * area

■ Higher VDSS rating and high dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ 100 avalanche tested

Applications

■ Switching applications

Description

These devices are N-channel MDmesh? V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH? horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low onresistance, which is unmatched among siliconbased Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STW20N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-247-3
6006
原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票
詢價(jià)
ST原裝
24+
TO-247
9860
一級(jí)代理
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
2023+
TO-247-3
6000
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗(yàn)、終端BOM表可配單提供
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TO-247
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STMicroelectronics
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原廠原包裝
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
N/A
20000
詢價(jià)
ST/意法
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TO247
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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ST/意法
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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ST/意法半導(dǎo)體
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