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STW26NM60N-H中文資料意法半導體數據手冊PDF規(guī)格書

STW26NM60N-H
廠商型號

STW26NM60N-H

功能描述

N-channel 600 V, 0.135 Ω, 20 A TO-247 MDmesh? II Power MOSFET

絲印標識

26NM60N

封裝外殼

TO-247

文件大小

681.3 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-6 8:50:00

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STW26NM60N-H規(guī)格書詳情

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices implements second

generation MDmesh? technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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