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TC518128BFL	文件：561.24 Kbytes Page：9 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518128Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518128Boperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
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TC518128BFWL	文件：561.24 Kbytes Page：9 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518128Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518128Boperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
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TC518128BPL	文件：752.51 Kbytes Page：14 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518128B-Visa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128B-V utilizesaonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpower storage.TheTC518128B-Voperatesfrom	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518128BPL	文件：561.24 Kbytes Page：9 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518128Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518128Boperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518128BSPL	文件：561.24 Kbytes Page：9 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518128Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518128Boperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518128CFL	文件：293.83 Kbytes Page：14 Pages	131,072-WORDBY8-BITCMOSPSEUDOSTATICRAM DESCRIPTION TheTC518128CPL/CSPL/CFL/CFWL/CFTLisa1,048,578-bitCMOSpseudostaticrandomaccessmemory (PSRAM)organizedas131,072wordsby8bits.Itfeatureaone-transistordynamicmemorycellusingCMOS peripheralcircuitrytoprovidelargecapacity,highspeedandlowpower.Itusesa	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
TC518128CFTL
制造商：
TOSHIBA
功能描述：
*

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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