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TIP112

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

TIP112

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A

POINN

Power Innovations Ltd

TIP112

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TIP112

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導體公司

TIP112

Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?ComplementarytoTIP115/116/117 ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

TIP112

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),?VCE=4V,IC=1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP117.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

TIP112

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCTIP112isdesignedforsuchapplicationsas:DC/DCconverterssupplylineswitching,batterycharger,LCDbacklighting,peripheraldrivers,Driverinlowsupplyvoltageapplications(e.g.lampsandLEDs)andinductiveloaddriver(e.g.relays,buzzersandmotors). FEATURES *

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

TIP112

PLASTIC POWER TRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TIP112

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR

Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications.

DCCOM

Dc Components

TIP112

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain? hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

晶體管資料

  • 型號：

    TIP100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD645,BD897,BDW73A...D,BDX53A...F,3DK208,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    80

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TIP1

  • 功能描述：

    達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

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更多TIP1供應商 更新時間2025-4-23 9:30:00

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