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TIP112

Marking：TIP112；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) LowCollector-EmitterSaturationVoltage IndustrialUse

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

TIP112

Silicon NPN Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeTIP115/116/117 APPLICATIONS ?Forindustrialuse

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TIP112

DARLINGTON TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ●HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●IndustrialUse

FS

First Silicon Co., Ltd

TIP112

DARLINGTON TRANSISTOR (NPN)

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●IndustrialUse

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

TIP112

Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features ComplementtoTIP117. Applications Mediumpowerlinearswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

TIP112

Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?ComplementarytoTIP115/116/117 ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

TIP112

Silicon NPN Darlington Power Transistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?ThecomplementaryPNPtypesaretheTIP115/116/117respectively ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?Mois

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

TIP112

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),?VCE=4V,IC=1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP117.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

TIP112

PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

TIP112

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

晶體管資料

  • 型號：

    TIP100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD645,BD897,BDW73A...D,BDX53A...F,3DK208,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    80

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TIP1

  • 功能描述：

    達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

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