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TIP102

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60–80–100VOLTS 80WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mAdc

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

TIP102

PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

TIP102

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

PlasticMedium?PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

TIP102

Darlington Power Transistors (NPN)

DarlingtonPowerTransistors(NPN) Features ?Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications ?RoHSCompliant

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

TIP102

PLASTIC POWER TRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TIP102

Motion Controller using Incremental Encoder

ApplicationInformation TheTIP102familyconsistsofIndustryPack?compatiblemoduleswithcompleteoneortwoaxeshighprecisionmotioncontrolinterfaces,usingincrementalencoderwithRS422orTTLsignallevelforpositionfeedback.ThetransitionmoduleTIP102-TM-xxisrequiredforthesig

TEWS

TEWS Technologies GmbH

TIP102

Silicon NPN Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage ·ComplementtotypeTIP105/106/107 APPLICATIONS ·Forindustrialuse

SAVANTIC

Savantic, Inc.

TIP102

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

●DesignedforComplementaryUsewithTIP105,TIP106andTIP107 ●80Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MaximumVCE(sat)of2.5VatIC=8A

POINN

Power Innovations Ltd

TIP102

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP105/106/107

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

TIP102

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP102isasiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinTO-220plasticpackage.Itisintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisTIP107. AlsoTIP105isaPNPtype. ■STMicroelectro

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

晶體管資料

  • 型號：

    TIP100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    BD645,BD897,BDW73A...D,BDX53A...F,3DK208,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    80

詳細參數

  • 型號：

    TIP1

  • 功能描述：

    達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TIP1供應商 更新時間2025-4-22 9:00:00

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