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TIP105

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP100/101/102

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

TIP105

PNP Plastic Medium-Power Silicon Transistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntResistors ?TO-220Compac

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

TIP105

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) ?Collector-EmitterSustainingVoltage ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP100/101/102

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

TIP105

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. NPNcomplementsareTIP100-101-102 CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

TIP105

PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

TIP105

PLASTIC POWER TRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

TIP105

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) ?Collector-EmitterSustainingVoltage ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP100/101/102

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

TIP105PNP

PLASTIC POWER TRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

TIP105TU

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) ?Collector-EmitterSustainingVoltage ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP100/101/102

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

TIP106

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60–80–100VOLTS 80WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mAdc

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

晶體管資料

  • 型號：

    TIP100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    BD645,BD897,BDW73A...D,BDX53A...F,3DK208,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    80

詳細參數

  • 型號：

    TIP1

  • 功能描述：

    達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TIP1供應商 更新時間2025-4-23 10:02:00

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