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TRS10N120HB中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TRS10N120HB
廠商型號(hào)

TRS10N120HB

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

絲印標(biāo)識(shí)

S10N120HB

封裝外殼

TO-247

文件大小

440.81 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-28 16:27:00

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TRS10N120HB規(guī)格書詳情

Applications

? Power Factor Correction

? Solar Inverters

? Uninterruptible Power Supplies

? DC-DC Converters

Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF (Per Leg) = 1.27 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc (Per Leg) = 30 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR (Per Leg) = 0.5 μA (typ.)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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