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TRS10N120HB

Marking：S10N120HB；Package：TO-247；SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=30nC(typ.) (4)Lowreversecurre

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多S10N120HB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-5 16:00:00

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