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UPA807T中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA807T
廠商型號

UPA807T

功能描述

SILICON TRANSISTOR

文件大小

273.74 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-6 16:54:00

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UPA807T規(guī)格書詳情

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD

FEATURES

? Low Current, High Gain

|S21e|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

? A Super Mini Mold Package Adopted

? Built-in 2 Transistors (2 ′ 2SC5179)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    UPA807T

  • 制造商:

    NEC/CEL

  • 功能描述:

    New

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
2223+
SOT-363
26800
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25+23+
SOT-363
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SOT-363
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