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PESD12VL2BT

Marking：V5T；Package：SOT-23；Solid-state silicon-avalanche technology

Features 350Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)12A(8/20μs) Applications Dataline

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

SDT23C12L02

Marking：V5T；Package：SOT23；2-Line Bl-directional TVS Diode

Features 80Wpeakpulsepower(8/20μs) ?Ultralowleakage:nAlevel ?Operatingvoltage:12V ?Lowclampingvoltage ?Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:130kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lig

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

SMC12

Marking：V5T；Package：SOT23；2-Line Bl-directional TVS Diode

Features ?80Wpeakpulsepower(8/20μs) ?Ultralowleakage:nAlevel ?Operatingvoltage:12V ?Lowclampingvoltage ?Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(L

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

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更多V5T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 16:31:00

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