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VI30M120C-M3

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI30M120C-M3/4W

Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-262AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VB30M120C-M3

TrenchMOSSchottkytechnology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB30M120C-M3/I

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB30M120C-M3SLASHI

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.52VatIF=5A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30M120C-M3

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30M120C-M3

TrenchMOSSchottkytechnology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VI30M120C-M3供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 16:50:00

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