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2SD2105

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=5A,VCE=3V APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2106

Silicon NPN Epitaxial

SiliconNPNEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2106

Silicon NPN Epitaxial

SiliconNPNEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD2106

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A ·HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=3A,VCE=3V APPLICATIONS ·Design

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2107

Silicon NPN Triple Diffused

Applications Lowfrequencypoweramplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD2108

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

SILICONNPNTRIPLEDIFFUSED LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2108

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=4A ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=4A,VCE=3V APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD211

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Largecurrentcapability ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forpoweramplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD211

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Largecurrentcapability ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forpoweramplifierandswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD2110

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2A ?HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=2A,VCE=3V APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SD2100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R+Di

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_LO.SAT

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    RN5006,2SD1614,2SD1621,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-100

  • vtest：

    25

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SD21

  • 制造商：

    SANYO

  • 制造商全稱：

    Sanyo Semicon Device

  • 功能描述：

    Compact Motor Driver Applications

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ROHM/羅姆
20+
SOT-89
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
SANYO
24+
SOT-89
6900
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價(jià)
ROHM
23+
SOT-89
31000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
SANYO
24+
SOT89
2987
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電
 詢價(jià)
SOT-89
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價(jià)
ON
23+
SOT-89
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
SANYO/三洋
2447
SOT-89
100500
一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價(jià)
SANYO
1922+
SOT-89
35689
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨
 詢價(jià)
SANYO/三洋
23+
SOT-89
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
SANYO
22+
SOT-89
5500
詢價(jià)
更多2SD21供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-5 14:00:00

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