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Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ·HighPowerGain ·HighCurrentGainBandwidthProduct ·LowNoiseFigure APPLICATIONS ·DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Marking：R2p；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlow-noise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highpowergain,lownoisefigure,verylowintermodulationdistortion. Applications RFwidebandamplifiersandoscillators. | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司 | FOSHAN | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ●Highpowergain ●Hightransitionfrequency ●Lownoisefigure Applications ???WidebandamplifieruptoGHzrange. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2mA to 30mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentfrom2mAto30mA ?CECC.typeavailable:CECC50002/256 | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司 | SIEMENS | ||
Marking：R2p；Package：SOT-23；NPN 6 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaplasticSOT23package.PNPcomplement:BFT93. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Verylowintermodulationdistortion. APPLICATIONS ?RFwidebandamplifiersandoscillators. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto1GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiont | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
RF TRANSISTORS NPN SILICON Designedprimarilyforuseinhigh–gain,low–noise,small–signalUHFandmicrowaveamplifiersconstructedwiththickandthin–filmcircuitsusingsurfacemountcomponents. ?T1SuffixIndicatesTapeandReelPackagingof3,000UnitsperReel. | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
NPN 6 GHz wideband transistor Generaldescription NPNwidebandtransistorinaplasticSOT23package. PNPcomplement:BFT93. Features ■Veryhighpowergain ■Lownoisefigure ■Verylowintermodulationdistortion Applications ■RFwidebandamplifiersandoscillators | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
120MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
2SB1308,
- 最大耗散功率：
0.75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-100
- vtest：
30
- htest：
120000000
- atest：
5
- wtest：
0.75
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BFR
- 制造商：
ITT
- 制造商全稱：
ITT Industries
- 功能描述：
Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2223+ |
PG-SOD323-2 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn) |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
TO-50 |
9980 |
價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來(lái)電查詢 |
詢價(jià) | ||
NXP(PHILIPS) |
16+ |
SOT23 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
SMD |
150000 |
全新原裝深圳現(xiàn)貨庫(kù)存,特價(jià)· |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
DIP |
2500 |
詢價(jià) | |||
Infineo |
21+ |
48000 |
12588 |
原裝正品假一罰十 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
10000 |
原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
13+ |
16258 |
原裝分銷 |
詢價(jià) |
