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RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 2 mA to 30 mA.) NPNSiliconRFTransistor ●Forlow-distortionbroadbandamplifiersupto1GHzatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●CECC-typeavailable:CECC50002/256. | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司 | SIEMENS | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ●Highpowergain ●Lownoisefigure ●Hightransitionfrequency Applications ???RFamplifieruptoGHzrangespeciallyforwidebandantennaamplifier. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ●Highpowergain ●Lownoisefigure ●Hightransitionfrequency Applications RF-amplifieruptoGHzrangespeciallyforwidebandantennaamplifier. | Temic TEMIC Semiconductors | Temic | ||
NPN Silicon RF Transistor Preliminarydata ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom1mAto20mA ●fT=9GHz F=1dBat1GHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor Preliminarydata ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom1mAto20mA ●fT=9GHz F=1dBat1GHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ???????●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom1mAto20mA ●fT=9GHz F=1.0dBat1GHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：RKs；Package：SOT-416；NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom1mAto20mA ●fT=9GHz F=1.0dBat1GHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN 3.5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNresistance-stabilizedtransistorinaSOT122Ecapstanenvelope.Itfeaturesextremelylowcross modulation,intermodulationandsecondorderintermodulationdistortion.Duetoitshightransitionfrequency,ithasahighpowergain,inconjunctionwithgoodwidebandpropertie | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
120MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
2SB1308,
- 最大耗散功率：
0.75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-100
- vtest：
30
- htest：
120000000
- atest：
5
- wtest：
0.75
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BFR
- 制造商：
ITT
- 制造商全稱：
ITT Industries
- 功能描述：
Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2223+ |
PG-SOD323-2 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn) |
詢價(jià) | ||
NXP |
1725+ |
SOT23 |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
23+ |
65480 |
詢價(jià) | |||||
VISHAY |
23+ |
SOT143 |
1050 |
專營(yíng)高頻管模塊,全新原裝! |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA |
20+ |
TO-236AB |
5328 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
13+ |
16258 |
原裝分銷 |
詢價(jià) | |||
INFINNM |
12+ |
TSFP-3 |
9770 |
原裝/現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
SOT23 |
7500 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |
