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RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ●Highpowergain ●Hightransitionfrequency ●Lownoisefigure Applications ???WidebandamplifieruptoGHzrange. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION SiliconNPNtransistorencapsulatedinaplasticSOT416(SC-75)package.TheBFR93ATusesthesamedieastheSOT23version:BFR93A. FEATURES ?Highpowergain ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?SOT416(SC-75)package. APPLICATIONS Designe | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
NPN Silicon RF Transistor Forlowdistortionbroadbandamplifiersandoscillatorsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 5mAto30mA | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlowdistortionamplifiersandoscillatorsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom5mAto30mA ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFamplifiers.mixersandoscillators withsignalfrequenciesupto1GH | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFamplifiers,mixersandoscillators withsignalfrequenciesupto1GHz. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION SiliconNPNtransistorencapsulatedinaplasticSOT323(S-mini)package.TheBFR93AWusesthesamecrystalastheSOT23version,BFR93A. FEATURES ?Highpowergain ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?SOT323(S-mini)package. APPLICATIONS Itis | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 5 mA to 30 mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlowdistortionbroadbandamplifiersand oscillatorsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 5mAto30mA | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
120MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SB1308,
- 最大耗散功率：
0.75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-100
- vtest：
30
- htest：
120000000
- atest：
5
- wtest：
0.75
詳細參數(shù)
- 型號：
BFR
- 制造商：
ITT
- 制造商全稱：
ITT Industries
- 功能描述：
Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
7000 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
2223+ |
PG-SOD323-2 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險 |
詢價 | ||
PHILIPS |
03+ |
SOT23 |
2980 |
全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢 |
詢價 | ||
24+ |
2000 |
全新 |
詢價 | ||||
INFINEN |
23+ |
SOT23 |
7936 |
詢價 | |||
PHILIPS |
23+ |
SMD |
150000 |
全新原裝深圳現(xiàn)貨庫存,特價· |
詢價 | ||
NXP(PHILIPS) |
16+ |
SOT23 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-50 |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
SOT-23 |
3600 |
絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣! |
詢價 |
