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BLS9G3135LS-115分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS9G3135LS-115
廠商型號

BLS9G3135LS-115

參數(shù)屬性

BLS9G3135LS-115 封裝/外殼為SOT-1135B;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY

功能描述

LDMOS S-band radar power transistor
BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY

封裝外殼

SOT-1135B

文件大小

1.17434 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-21 9:34:00

BLS9G3135LS-115規(guī)格書詳情

BLS9G3135LS-115屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS9G3135LS-115晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

115 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from

3.1 GHz to 3.5 GHz.

Features and benefits

? High efficiency

? Excellent ruggedness

? Excellent thermal stability

? Easy power control

? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation

? High flexibility with respect to pulse formats

? Internally matched for broadband matching in 3.1 GHz to 3.5 GHz S-band operation

? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

? S-band radar applications in the frequency range 3.1 GHz to 3.5 GHz

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLS9G3135LS-115U

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    3.1GHz ~ 3.5GHz

  • 增益:

    11dB

  • 功率 - 輸出:

    115W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1135B

  • 供應商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
BRIGHT
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
Ampleon USA Inc.
24+
SOT-1135B
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價
Ampleon USA Inc.
22+
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IC
23+
SOP-8L
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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