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IRFL214PBF	文件：225.07 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFL214PBF	文件：877.86 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL214TR	文件：877.86 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL214TRPBF	文件：877.86 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL214TRPBFA	文件：278.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFM214B	文件：692.69 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFN214B	文件：607.27 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR214	文件：52.94 Kbytes Page：6 Pages	2.2A,250V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheyareadvancedpowerMOSFETsaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR214	文件：169.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=2.0ohm,Id=2.2A) HEXFET?PowerMOSFET VDSS=250V RDS(on)=2.0Ω ID=2.2A	IRF International Rectifier	IRF
IRFR214	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFL214N	IR	22+	SOT223	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFL214N	IR	23+	SOT223	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFL214N	IR	23+	SOT223	7000		詢價
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深圳市博浩通科技有限公司	IRFL214PBF	VISHAY	23+	SOT223	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
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更多IRFL214N供應(yīng)商更新時間2025-3-17 9:00:00

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