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IRFR110中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR110
廠商型號

IRFR110

功能描述

Power MOSFET

文件大小

782.87 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-6 23:40:00

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IRFR110規(guī)格書詳情

FEATURES

? Dynamic dV/dt rating

? Repetitive avalanche rated

? Surface-mount (IRFR110, SiHFR110)

? Available in tape and reel

? Fast switching

? Ease of paralleling

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. Power

dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface

mount applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFR110

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
1932+
TO-252
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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