IRFZ24S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRFZ24S |
功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
文件大小 |
361.55 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-15 20:00:00 |
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IRFZ24S規(guī)格書詳情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRFZ24S)
Low-profile through-hole (IRFZ24L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFZ24S
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
313 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
1932+ |
TO-263 |
591 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO |
4500 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) | |||
INTERNATIONALRECTIFIER |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | |||
SILICONIXVISHAY |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
22+23+ |
TO-263 |
28866 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOT-263- |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
2022 |
TO-263 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) |