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IRG4BC20UDSTRRP_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 600V 13A躍創(chuàng)芯

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    IRG4BC20UDSTRRP

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    60000

  • 產(chǎn)品封裝：

    D2PAK

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-21 14:17:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：IRG4BC20UDSTRRP品牌：INFINEON/英飛凌

絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    IRG4BC20UDSTRRP

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IRF詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    13 頁(yè)

  • 文件大小：

    256.209 kb

  • 資料說(shuō)明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IRG4BC20UDSTRRP

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 600V 13A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    19065122659

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    13510546959

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福山社區(qū)彩田路2010號(hào)中深花園B1008M15

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