IRG4BC30S-STRLP_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 600V DC-1 KHZ(STD) DISCRETE IGBT躍創(chuàng)芯

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    IRG4BC30S-STRLP

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    60000

  • 產(chǎn)品封裝:

    D2PAK

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    21+

  • 庫(kù)存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-2-20 14:17:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):IRG4BC30S-STRLP品牌:INFINEON/英飛凌

絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十

  • 芯片型號(hào):

    IRG4BC30S-STRLP

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 模塊 600V DC-1 KHZ(STD) DISCRETE IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    IRG4BC30S-STRLP

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 600V DC-1 KHZ(STD) DISCRETE IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李小姐

  • 手機(jī):

    19065122659

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    13510546959

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)福田街道福山社區(qū)彩田路2010號(hào)中深花園B1008M15