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IRL1104LPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRL1104LPBF
廠(chǎng)商型號(hào)

IRL1104LPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

222.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 15:01:00

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IRL1104LPBF規(guī)格書(shū)詳情

VDSS = 40V

RDS(on) = 0.008?

ID = 104A?

Description

Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET? power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRL1104S)

● Low-profile through-hole (IRL1104L)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Logic-Level Gate Drive

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRL1104LPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
2447
SMD
100500
一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
詢(xún)價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I2Pak,TO-26
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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Infineon Technologies
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原裝
7000
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一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TO-262
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢(xún)價(jià)
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24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-262
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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