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IRLL014NPBF	文件：261.26 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTR	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTRPBF	文件：1.80269 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRLL014NTRPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014PBF	文件：214.35 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014PBF	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014PBF	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014TR	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014TRA	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRLL014NHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 55V 2.8A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRLL014NHR	IR	22+	Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-P	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRLL014NHR	IR	23+	Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-P	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRLL014NHR	IR	23+	Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-P	7000		詢價(jià)
深圳市鼎欣微電子有限公司	IRLL014NMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR	21+	SOT-223	20000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRLL014NMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR	23+	SOT223	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	IRLL014NMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR	24+	SOT-223	1731	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	IRLL014NMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR	2022	SOT223	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳硅原半導(dǎo)體有限公司	IRLL014NMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR	23+	SOT223	28533	原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) 價(jià)格美麗假一罰十!	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRLL014NNTRPBF	IR	21+	SOT-223	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRLL014NPBF	IR	23+	SOT223	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)

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