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MW6S010MR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MW6S010MR1 |
| 參數(shù)屬性 | MW6S010MR1 封裝/外殼為TO-270-2；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistor |
| 封裝外殼 | TO-270-2 |
| 文件大小 |
542.96 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-12 10:16:00 |
MW6S010MR1規(guī)格書詳情
450-1500 MHz, 10 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.
? Typical Two-Tone Performance @ 960 MHz, VDD = 28 Volts, IDQ = 125 mA, Pout = 10 Watts PEP
Power Gain — 18 dB
Drain Efficiency — 32
IMD — -37 dBc
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 960 MHz, 10 Watts CW Output Power
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
? Integrated ESD Protection
? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations
? 200°C Capable Plastic Package
? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.
CASE 1265-08, STYLE 1 TO-270-2 PLASTIC MW6S010NR1(MR1)
CASE 1265A-02, STYLE 1 TO-270-2 GULL PLASTIC MW6S010GNR1(GMR1)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MW6S010MR1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 輸出：
10W
- 封裝/外殼：
TO-270-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-270-2
- 描述：
FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE/飛思卡爾 |
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