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NE68135中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NE68135
廠商型號(hào)

NE68135

功能描述

NONLINEAR MODEL

文件大小

26.67 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-19 14:30:00

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NE68135規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surface mount package styles. NE681s unique device characteristics allow you to use a single matching point to simultaneously achieve both low noise and high gain.

FEATURES

? HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz

? LOW NOISE FIGURE:

1.2 dB at 1 GHz

1.6 dB at 2 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN:

15 dB at 1 GHz

12 dB at 2 GHz

? LOW COST

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE68135

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 REORD 551-NE68119 MICRO-X NPN HI FREQ

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS
23+
SOT-143
63000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
CEL
24+
原廠原封
4000
原裝正品
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022
SOT-523
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
詢價(jià)
NEC
21+
SOT523
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
NEC
20+
SOT143
49000
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
NEC
22+
SOT143
3000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
NEC
23+
SOT-143
50000
原裝正品 支持實(shí)單
詢價(jià)
24+
3000
公司存貨
詢價(jià)
NEC
1742+
SOT143
98215
只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
NA/
12000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢價(jià)