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NE851M33-T3-A分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE851M33-T3-A
廠商型號

NE851M33-T3-A

參數(shù)屬性

NE851M33-T3-A 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR

封裝外殼

3-SMD,扁平引線

文件大小

242.77 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 9:01:00

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NE851M33-T3-A規(guī)格書詳情

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE

3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33, 0804 PKG)

FEATURES

? Low phase distortion, low voltage operation

? Ideal for OSC applications

? 3-pin super lead-less minimold (M33, 0804 PKG) package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE851M33-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    130mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 5mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(M33)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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