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PBRN123E

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123E_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123EK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123EK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123ES

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123ES

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123ET

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123ET-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    OY123K

  • 制造商：

    Ohmite

  • 類(lèi)別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    OY

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±10%

  • 功率 (W)：

    2W

  • 成分：

    陶瓷

  • 特性：

    防潮，脈沖耐受

  • 溫度系數(shù)：

    -1000/ -1600ppm/°C

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 220°C

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.276" 直徑 x 0.748" 長(zhǎng)（7.00mm x 19.00mm）

  • 描述：

    RES 12K OHM 10% 2W AXIAL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多OY123K供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 10:18:00

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