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PC123B

DIP4pinReinforcedInsulationTypePhotocoupler

■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國夏普微電子公司（SMA）

PC123F

EuropeanSafetyStandardApprovedTypeLongCreepageDistancePhotocoupler

■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國夏普微電子公司（SMA）

PC123Y

COLOURTELEVISION

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

PCE-123

ProcessCalibratorPCE-123

PCE

PCE Instruments.

PCHC123H

PowerChokeHighCurrent

ALLIED

Allied Components International

PCHC123HP

PowerChokeHighCurrent

ALLIED

Allied Components International

PDTA123E

PNPresistor-equippedtransistors

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA123E

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA123E

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA123E_SER

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    OY123K

  • 制造商：

    Ohmite

  • 類別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    OY

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±10%

  • 功率 (W)：

    2W

  • 成分：

    陶瓷

  • 特性：

    防潮，脈沖耐受

  • 溫度系數(shù)：

    -1000/ -1600ppm/°C

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 220°C

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.276" 直徑 x 0.748" 長（7.00mm x 19.00mm）

  • 描述：

    RES 12K OHM 10% 2W AXIAL

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多OY123K供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 10:18:00

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