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PDTC115TS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTC115TS
廠商型號

PDTC115TS

參數(shù)屬性

PDTC115TS 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

功能描述

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open

絲印標(biāo)識

TC115T

封裝外殼

SC-43A / TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

文件大小

177.46 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-21 22:30:00

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PDTC115TS規(guī)格書詳情

Features

* Built-in bias resistor

* Simplifies circuit design

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTC115TS,126

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP
2020+
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