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PTF210901中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTF210901
廠商型號

PTF210901

功能描述

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz

文件大小

266.34 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-19 17:58:00

PTF210901規(guī)格書詳情

Description

The PTF210901 is an internally matched 90 W GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features

? Internal matching for wideband performance

? Typical two–carrier 3GPP WCDMA

performance

- Average output power = 19 W at –37 dBc

- Efficiency = 25

? Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 105 W

- Gain = 15 dB

- Efficiency = 53

? Integrated ESD protection: Human Body Model,

Class 1 (minimum)

? Excellent thermal stability, low HCI drift

? Capable of handling 10:1 VSWR at 28 V,

90 W (CW) output power

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTF210901

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz

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