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SI4435DYPBF中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書

SI4435DYPBF
廠商型號

SI4435DYPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

107.91 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-15 23:00:00

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SI4435DYPBF規(guī)格書詳情

VDSS = -30V

RDS(on) = 0.020?

Description

These P-channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..

Ultra Low On-Resistance

P-Channel MOSFET

Surface Mount

Available in Tape & Reel

產品屬性

  • 型號:

    SI4435DYPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR(國際整流器)
23+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
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SI4435DYPBF
1134
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只做原裝進口,假一罰十
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