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STGWA15S120DF3分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA15S120DF3
廠商型號

STGWA15S120DF3
參數(shù)屬性

STGWA15S120DF3 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 1200V 15A TO247-3L
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
IGBT 1200V 15A TO247-3L
絲印標識

G15S120DF3
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

741.12 Kbytes
頁面數(shù)量

18 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-20 19:46:00
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STGWA15S120DF3規(guī)格書詳情

STGWA15S120DF3屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGWA15S120DF3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

This device is an IGBT developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. The device is part of the S series of

1200 V IGBTs which is tailored to maximize

efficiency of low frequency industrial systems.

Furthermore, a positive VCE(sat) temperature

coefficient and tight parameter distribution result

in safer paralleling operation.

Features

? 10 μs of short-circuit withstand time

? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A

? Tight parameter distribution

? Safer paralleling

? Low thermal resistance

? Soft and fast recovery antiparallel diode

Applications

? Industrial drives

? UPS

? Solar

? Welding

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    STGWA15S120DF3

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.05V @ 15V，15A

  • 開關能量：

    540μJ（開），1.38mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    23ns/140ns

  • 測試條件：

    600V，15A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 15A TO247-3L

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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