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TDG100E90BEP

Marking：TDG90BE；Package：GaNPX；Bottom-side cooled, 100V E-mode GaN transistor Product Specification

Features ?100VenhancementmodeGaNpowerswitch?Bottom-sidecooledconfiguration?RDS(on)=7mΩ?IDS(max)=90A?Ultra-lowFOMIslandTechnology?die?LowinductanceGaNPX?package?Easygatedriverequirements(0Vto6V)?Transienttolerantgatedrive(-20V/+10V)?Veryhighswitchingfrequenc

TELEDYNE

Teledyne Technologies Incorporated

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更多TDG90BE供應商 更新時間2025-3-28 10:08:00

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