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TIP106

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

PlasticMedium?PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

TIP106

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

●DesignedforComplementaryUsewithTIP100,TIP101andTIP102 ●80Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MaximumVCE(sat)of2.5VatIC=8A

POINN

Power Innovations Ltd

TIP106

POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W)

8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

TIP106

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP

TRSYS

Transys Electronics

TIP106

Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) ?Collector-EmitterSustainingVoltage ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP100/101/102

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

TIP106

Power Darlingtons for Linear and Switching Applications

TIP100,101,102NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS TIP105,106,107PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

TIP106

PLASTIC POWER TRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TIP106

Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeTIP100/101/102 APPLICATIONS ?Forindustrialuse

SAVANTIC

Savantic, Inc.

TIP106

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-3A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-80V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-3A =

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TIP106

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP100/101/102

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    TIP100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD645,BD897,BDW73A...D,BDX53A...F,3DK208,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    80

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    TIP1

  • 功能描述：

    達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
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更多TIP1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-23 9:30:00

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