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TIP107

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. NPNcomplementsareTIP100-101-102 CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

TIP107

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Lowsaturationvoltage. ·Highreliability ·Highbreakdownvoltage APPLICATIONS ·High-VoltageSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TIP107

Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) ?Collector-EmitterSustainingVoltage ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP100/101/102

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

TIP107

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) ?Collector-EmitterSustainingVoltage ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP100/101/102

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

TIP107

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) ?Collector-EmitterSustainingVoltage ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP100/101/102

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

TIP107

PNP Plastic Medium-Power Silicon Transistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntResistors ?TO-220Compac

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

TIP107

POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W)

8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

TIP107

PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

TIP107

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60–80–100VOLTS 80WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mAdc

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

TIP107

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

●DesignedforComplementaryUsewithTIP100,TIP101andTIP102 ●80Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MaximumVCE(sat)of2.5VatIC=8A

POINN

Power Innovations Ltd

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    TIP100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD645,BD897,BDW73A...D,BDX53A...F,3DK208,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    80

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    TIP1

  • 功能描述：

    達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST意法
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原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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7000
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專營現(xiàn)貨庫存,十五年優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商
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更多TIP1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-23 15:48:00

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