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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFD110	文件：174.72 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD110	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD110	文件：52.55 Kbytes Page：6 Pages	1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD110	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°COperatingTemperature ?Fastswitchingandeaseofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD110_V01	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°COperatingTemperature ?Fastswitchingandeaseofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD110PBF	文件：1.78348 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD110PBF	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD110PBF	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFE110	文件：199.53 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORS SURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF
IRFE110	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

詳細參數(shù)

型號：
IRFD110
功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市博浩通科技有限公司	IRFD110	IOR	23+	DIP4	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRFD110	IR	23+	DIP	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFD110		24+	DIP-4	1000		詢價
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更多IRFD110供應(yīng)商更新時間2025-4-11 9:34:00

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