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PBRN113ET

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=1kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ET-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113Z_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ZS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    N113X

  • 制造商：

    Switchcraft Inc.

  • 類別：

    連接器，互連器件 > 音頻連接器

  • 系列：

    Hi-D? N11

  • 包裝：

    散裝

  • 連接器類型：

    電話插孔

  • 公母：

    母頭

  • 信號線：

    單聲道

  • 業(yè)內(nèi)公認(rèn)的配接直徑：

    6.35mm（0.250"，1/4"）- 耳機

  • 實際直徑：

    0.250"（6.35mm）

  • 針位/觸頭數(shù)：

    2 導(dǎo)線，4 觸點

  • 內(nèi)部開關(guān)：

    單開關(guān)

  • 安裝類型：

    面板安裝，通孔

  • 端接：

    焊接孔眼

  • 屏蔽：

    無屏蔽

  • 特性：

    安裝硬件，螺紋鎖

  • 工作溫度：

    -20°C ~ 65°C

  • 描述：

    CONN JACK MONO 6.35MM PNL MNT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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