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RJP020N06T100

2025-3-20 14:00:00
  • RJP020N06T100

製造商: ROHM Semiconductor

產(chǎn)品類型: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: SOT-89-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù): 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V

Id - C連續(xù)漏極電流: 2 A

Rds On - 漏-源電阻: 240 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 12 V, + 12 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.5 V

Qg - 閘極充電: 5 nC

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 2 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: ROHM Semiconductor

配置: Single

下降時間: 20 ns

互導 - 最小值: 1.5 S

高度: 1.5 mm

長度: 4.5 mm

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 18 ns

系列: RJP020N06

1000

子類別: Transistors

晶體管類型: 1 N-Channel MOSFET

類型: MOSFET

標準斷開延遲時間: 40 ns

標準開啟延遲時間: 8 ns

寬度: 2.5 mm

零件號別名: RJP020N06

每件重量: 130.500 mg